超高频晶体管多晶硅发射极新工艺 超高频晶体管多晶硅发射极新工艺 超高频晶体管是一种应用领域广泛的电子器件，其性能的优劣直接影响到电子设备的使用效果。发射极是超高频晶体管的核心部件之一，它决定了晶体管的放大能力和频率特性。传统上，超高频晶体管的发射极制备采用的是单晶硅材料，但这样一种材料成本高，不易加工，且易产生晶界损伤，影响晶体管性能。为解决这样一些问题，近年来研究人员开始尝试使用多晶硅材料作为超高频晶体管的发射极材料，并慢慢地发展出了多种新工艺。 1.超高频晶体管多晶硅发射极材料的优越性 单晶硅具有非常明显的晶向性和均匀性，可提供高的电...
超高频晶体管多晶硅发射极新工艺 超高频晶体管多晶硅发射极新工艺 超高频晶体管是一种应用领域广泛的电子器件，其性能的优劣直接影响到电子设备的使用效果。发射极是超高频晶体管的核心部件之一，它决定了晶体管的放大能力和频率特性。传统上，超高频晶体管的发射极制备采用的是单晶硅材料，但这样一种材料成本高，不易加工，且易产生晶界损伤，影响晶体管性能。为解决这样一些问题，近年来研究人员开始尝试使用多晶硅材料作为超高频晶体管的发射极材料，并慢慢地发展出了多种新工艺。 1.超高频晶体管多晶硅发射极材料的优越性 单晶硅具有非常明显的晶向性和均匀性，可提供高的电学性能和热学性能，因此长期以来一直是超高频晶体管发射极的主要材料。但随技术的慢慢的提升，多晶硅的性能逐渐得到提升，成为发射极材料的备选之一。多晶硅比单晶硅成本更低，且能加工成各种形状，因此对于制造超高频晶体管的成本和工艺都具有优势。此外，多晶硅还能够在高温下保持稳定性，抗辐照能力也更强。 2.超高频晶体管多晶硅发射极的制备工艺 多晶硅发射极的制备最重要的包含多晶硅沉积、形成电极、氧化和金属化等步骤。其中，多晶硅沉积是关键步骤之一。传统的多晶硅沉积方法有低压化学气相沉积（LPCVD）和富磷化化学气相沉积（PLCVD）等。这一些方法虽然能够制备出高纯度的多晶硅材料，但制备过程复杂，成本比较高。 最近研究人员尝试采用一些新的多晶硅沉积方法，如微波化学气相沉积（MWCVD）和辉光放电化学气相沉积（PECVD）。这一些方法具有成本低、晶体质量高、生长速度快等优势，能够大量制备高质量多晶硅薄膜。