多晶硅是单质硅的一种形状。熔融的单质硅在过冷条件下凝结时，硅原子以金刚石晶格形状排列成许多晶核，这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，如这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的质料，多晶硅与单晶硅的差异首要体现在物理性质方面。
多晶硅是用于太阳能电池、半导体、液晶显示屏等方面的重要资料..而掺杂的多晶硅膜则可用作双极晶体管的发射极和MOS器材的栅极.用重掺杂多晶硅作为CMOS晶体管的栅极和NPN晶体管的发射极，可以得到较薄的结深，减小栅极和发射极的寄生参数，来进步器材的速度功能。选用薄栅氧化层（35 nm）和栅与源漏的自对准结构，减小器材的寄生参数，取得更高功能的CMOS晶体管。
取得多晶硅膜的办法许多,在半导体器材和集成电路工艺中,低压气相淀积(LPCVD)是一种重要的办法.LPCVD是用加热的方法在低压(50-133Pa)条件下使气态化合物在基片表面反应并淀积,构成安稳固体薄膜如多晶硅、氮化硅、氧化硅等，大范围的应用于半导体集成电路、电力电子、光电子及MEMS等职业的出产的根本工艺中。
选用多晶硅发射极双极工艺，能大大的进步晶体管的电流增益，减小管子上升和下降时延，改进其频率特性。而选用离子注入砷掺杂多晶硅作为砷掺杂发射极分散源技能改进晶体管功能。国外现代高频和微波功率晶体管已遍及选用多晶硅发射极来进步其功能和可靠性. 依据成果得出多晶硅发射极晶体管具有较高的发射功率，高的电流才能，改进了EB击穿和CB击穿。上图是集成电路中的多晶硅发射极晶体管的结构图.