晶体管泛指一切半导体器材，包括N多品种，因而其也具有多种不同的分类方法。晶体管依据运用资料的不同可分为硅资料晶体管和锗资料晶体管;依据极性的不同可分为NPN型晶体管和PNP型晶体管;按照结构和制作工艺的不同可分为分散型晶体管、合金型晶体管平和面型晶体管;其还可依据电流容量的不同、作业频率的不同、封装结构的不同等分类方法分为不一样的品种。但晶体管多指晶体三极管，大致上可以分为双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET），接下来咱们就以BJT和FET为例来叙述晶体管的作业原理。
双极性晶体管，英语名称为Bipolar Transistor，是双极性结型晶体管的简称，因为其具有三个终端，因而咱们一般将其称为三极管。三极管由两个PN结构成，两个PN结将其分为发射区、基区和集电区，相应的发生三个电极：发射极、基极和集电极。
三极管的作业原理是酱紫的，首要，电源作用于发射结上使得发射结正向偏置，发射区的自由电子不断的流向基区，构成发射极电流;其次，自由电子由发射区流向基区后，首要集合在发射结邻近，但随着此处自由电子的增多，在基区内部构成了电子浓度差，使得自由电子在基区中由发射结逐步流向集电结，构成集电极电流;最终，因为集电结处存在比较大的反向电压，阻挠了集电区的自由电子向基区进行分散，并将集合在集电结邻近的自由电子招引至集电区，构成集电极电流。
场效应晶体管，英语名称为Field Effect Transistor，简称为场效应管，是一种通过对输入回路电场效应的操控来操控输出回路电流的器材。可分为结型和绝缘栅型、增强型和耗尽型、N沟道和P沟道，接下来咱们就以N沟道结型场效应管为例来对场效应管的作业原理进行阐明。
对应于三极管的基极、集电极和发射极，场效应管分别是栅极、漏极和源极。在其栅-源间加负向电压、漏-源间加正向电压以确保场效应管可以顺畅作业。所加负向电压越大，在PN结场所构成的耗尽区越厚，导电沟道越窄，沟道电阻越大，漏极电流越小;反之，所加负向电压越小，在PN结场所构成的耗尽区越薄，导电沟道越厚，沟道电阻越小，漏极电流越大。由此通过操控栅-源间所加负向电压完成了对沟道电流的操控。