杭州高级研讨院及美国麻省理工学院等单位的科研人员协作，在二维半导体资料异质外延方面获得新进展。12月4日，相关研讨发表于《先进资料》。
跟着我国高功能勘探技能领域使用需求的持续增长，新式光勘探资料的开展也有了更加高的要求。作为光电勘探技能最中心资料之一，异质外延半导体资料因其优异的光电功能，展现出宽广的使用远景。但是，这些资料在单一衬底上的异质外延往往面对较高的晶格应变，导致界面质量下降、晶体缺陷添加。一起，贵重的半导体设备及杂乱的半导体工艺技能，进一步约束了异质外延半导体资料的广泛使用。
研讨团队经过“面内自适应异质外延”战略，成功完成了二维半导体单晶资料在c面蓝宝石衬底上的高取向外延成长。该办法经过晶体取向的30°旋转，有用调控了压应力与拉应力，完成应变的可容忍性，使不同晶格常数的异质外延单晶与蓝宝石衬底之间构成可控的界面应变。
根据该异质外延资料的光勘探器材较非外延器材展现出更优异的光勘探功能。此外，该光电勘探器在屡次开关循环和长期测验中保持稳定，展现出优异的运转可靠性和长的器材寿数，为新式半导体资料异质外延成长及其器材使用供给了新的试验办法和理论支撑。