第二节 TTL集成逻辑门.ppt第二节TTL集成逻辑门常用双极型逻辑门:DTL:二极管、晶体管逻辑门电路。TTL:晶体管、晶体管逻辑门电路。CT1000系列。CT2000系列。CT3000系列。CT4000系列。(54/74系列)通用规范系列。(54H/74H系列)高速系列。(54S/74S系列)抗饱满系列。(54LS/74LS系列)低功耗系列。以上系列意图是怎么样进步作业速度,下降功耗。RAABCFRBRCTP1D4D5D1D2D3D1D2D3和RA构成二极管与门。D4D5为电平移位二极管。T、RC、RB构成反相器。:VP1=+=1V,二极管正导游通压降=,F=:VP1==Vces2=,一低出高。是与非门。一、DTL逻辑门电路电路组成作业原理:、D4、D5流入三极管基极。正向驱动电流很大,T很快由截止变为饱满。当输入VI由电流经RA流向低电平输入端,D4、D5反偏而截止,三极管反向遣散电流为流经RB中的小电流,T由饱满到截止进程比较长。所以DTL逻辑门电路作业速度比较低。100nSDTL逻辑门因为作业速度比较低,常用于低速场合。那么怎么提高作业速度,满意高速运用环境,因而,研制出TTL系列集成逻辑门电路。动态输入级倒相级输出级1、电路构成:输入级由T1和R1组成。T1是多射极三极管,经过发射结完成与逻辑。倒相级由T2和R2、R3组成。T2管作倒相运用,集电极和发射极一起输出相位相反的信号,驱动T3、T4三极管。输出级由T3、T4、D4和R4组成:T3、T4在输入信号的效果下,轮番导通,一个导通,另一个截止。叫做推拉输出级。钳位二极管效果:避免负脉冲输入时,流向T1管发射极过大,起维护效果。二、晶体管-晶体管逻辑门电路(TTL)多射极三极管和一般三极管结构根本相同,仅仅有多个发射极。TTL和DTL与非门首要差异在于用多射极管门替代二极管门。多射极管门有那些优缺、点。相当于三个三极管的基极b和集电极c连在一起。2、:Vb1=:T1管集电结,T2管发射结导通。正向驱动电流很大,T2管快速饱满。当输入中有一个由基极电流ib1流向低电平输入端。多射极管作业扩大状况。ic1=βib1=-ib2-ib2是T2管的反向驱动电流。使T2管快速截止,缩短了开关时间。3、多射极三极管提高作业速度的原理多射极管的长处:对T2管供给很大的反向遣散电流,使T2管很快由饱满转变为截止。:ib1很大ib2=ic1=0使T1管作业在深饱满状况Vces1=:三极管发射结“发射有余”,集电结“搜集缺乏”。其饱满压降为:T1R1RC3.(1)、:T2饱满Vb1=Vbc1+Vbes2=+===Vbes2=Ve1T1管发射结反偏Vb1Vc1T1管集电结正偏ibiIH=βIib1T1管把集电极当作发射极,发射极电子集电极。叫倒置运用。倒置运用的特色:因为发射区参杂浓度大,集电区参杂浓度小,所以T1管倒置运用时,其扩大倍数很小。βI≤。iIH=βIib1是前级高电平输出的拉流负载,也称为输入输入漏电流。多射极管的缺陷:(倒置运用、寄生三极管效应)+-bcNPN两个发射极经过基区构成NPN型寄生三极管。接高电平和低电平的发射极会构成寄生三极管电流,其电流反向由高电平输入端流向低电平输入端。基极电流ib流向低电平输入端。接高电平的发射极相当于寄生三极管的集电极,其电流的巨细为:iIH=βjib基极和发射极之间的电流联系称为:穿插电流扩大系数,用βj表明。βj=:不管是倒置运用,仍是寄生三极管效应。接高电平的输入端既有输入漏电流,又有穿插漏电流。总的漏电流iIH=(βj+βI)ib。是前级门的拉流负载。(2)、:T1集电结、T2、T4发射结正偏导通。Vb1=Vbc1+Vbe2+Vbe4==,发射结反偏,倒置因为有大电流ib1经T1集电结、T2、T4发射结到地,使T2、T4管饱满导通。ib1Vc2=1V不能一起驱动T3、D4管,T3、D4截止。一起T2发射极向T4管基极供给(1+β)ib1正向驱动电流,使T4管快速饱满。VO=Vces4=:输入全