金融界2025年1月20日音讯，国家知识产权局信息数据显现，广州华瑞升阳出资有限公司请求一项名为“场效应晶体管、沟槽MOS型二极管及绝缘栅双极型晶体管”的专利，公开号 CN 119317126 A，请求日期为 2023年7月。
专利摘要显现，本发明归于半导体技能领域，根据对肖特基源漏MOSFET的结构立异，提出了一种具有大的开态通流才能及更低的关态漏电才能的场效应晶体管。以n沟道常关型的MOSFET为例，在本来使用源电极与n型半导体区构成肖特基结对n型半导体区的电子载流子从一侧发生耗尽作用的基础上，再引进肖特基栅或许p型栅对n型半导体区的电子载流子从另一侧发生耗尽，以此来完成双侧耗尽的影响作用如此从电性能上既保持了开态通流才能又前进下降了关态漏电，一起更有助于敞开电压的调理；从制程工艺上，可放宽要害的宽度尺度要求，下降对光刻&刻蚀技能和设备的要求，扩展工艺窗口，提高批量化出产良率。
天眼查资料显现，广州华瑞升阳出资有限公司，成立于2020年，坐落广州市，是一家以从事商务服务业为主的企业。企业注册资本17000万人民币。经过天眼查大数据分析，广州华瑞升阳出资有限公司共对外出资了5家企业，知识产权方面有商标信息4条，专利信息28条，此外企业还具有行政许可3个。
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