由图可见 ，或非逻辑功用是对TTL与非门的结构改善而来，即用两个 三极管T
若两输入端为低电平，则T2A和T2B均将截止 ，iB3＝0，输出为高电平。
调查下图所示的状况。当将图中所示的两个逻辑门的输出衔接在一起，并且当第一个门的输出为高电平（第一个门的T4导通），第二个门的输出为低电平（第二个门的T3导通）时，正如图中红线所示将出现一个大电流通道，很可能导致晶体管的损坏。
为了防止线与时的发生大电流，可以运用集电极开路门（简称OC门）来处理 。所谓集电极开路是指从TTL与非门电路的推挽式输出级中删去电压跟从器，如下图所示：
上拉电阻Rp的值能这样来核算，首要考虑OC门有必要驱动必定的拉电流或灌电流负载。有关这两类负载的概念前已评论，这儿依然适用 ，所不同的是驱动门是由多个TTL门的输出端直接并联而成。当OC门中的一个TTL门的输出为低电平 ，其他为高电平时，灌电流将由一个输出BJT（如T1或T2）承当 ，这是一种极限状况，此刻上拉电阻RP具有约束电流的作用。为确保IOL不超越额定值IOL(max)，有必要合理选用RP的值。例如VCC＝5V，RP＝1kΩ，则IOL＝5mA。
另一方面，因为门电路的输出、输入电容和接线电容的存在，RP的巨细必将影响OC门的开关速度。RP的值愈大，负载电容的充电时间常数亦愈大，因此开关速度愈慢。RP的最小值RP(min)可按下式来确认
例：设TTL与非门74LS01(OC)驱动8个74LS04（反相器），试确认一适宜巨细的上拉电阻RP，设VCC=5V。
由以上核算可知Rp的值可在985Ω至18.75kΩ之间挑选 。为使电路有较快的开关速度，可选用一规范值为１kΩ的电阻器为宜。
集电极开路门除了能完成多门的线与逻辑关系外，还可用于直接驱动较大电流的负载。
使用OC门虽然能轻松完成线与的功用，但外接电阻Rp的挑选要遭到必定的约束而不能获得太小，因此影响了作业速度。一起它省去了有源负载，使得带负载才能变弱。为坚持推拉式输出级的长处，还能作线与联接，人们又开发了一种三态与非门，它的输出除了具有一般与非门的两种状况，即输出电阻较小的高、低电平状况外，还具有高输出电阻的第三状况，称为高阻态，又称为制止态。
一个简略的TSL门的电路如上图所示。其间CS为片选信号输入端，A、B为数据输入端。
当CS=1时，TSL门电路中的T5处于倒置扩大状况 ，T6饱满，T7截止，即其集电极相当于开路。此刻输出状况将彻底取决于数据输入端A、B的状况，电路输出与输入的逻辑关系与一般与非门相同。这种状况称为TSL的作业状况。
当CS=0时T7导通，使T4的基极胁迫于低电平。一起因为低电平的信号送到T1的输入端，迫使T2和T3截止 。这样T3和T4均截止，门的输出端L出现开路，既不是低电平，又不是高电平 ，这便是第三作业状况。这样，当CS为高电平时，TSL门的输出信号送到总线 ，而当CS为低电平时，门的输出与数据总线断开，此刻数据总线的状况由其他门电路的输出所决议。
抗饱满TTL电路是现在传输速度较高的一类TTL电路。这种电路因为选用肖特基势垒二极管SBD钳位方法来到达抗饱满的作用 ，一般称为SBDTTL电路（简称STTL电路），其传输速度远比根本TTL电路为高。
（1）它和PN结相同，相同具有单向导电性，这种铝-硅势垒二极管导通电流的方向是从铝到硅。
（2）AL－SiSBD的导通阈值电压较低，约为0.4～0.5V ，比一般硅PN结约低0.2V。
依据前面的学习，咱们已知道，BJT作业在饱满时 ，发射结和集电结都处在正向偏置，集电结正向偏置电压越大，则标明饱满程度越深。
为了约束BJT的饱满深度，在BJT的基极和集电极并联上一个导通阈值电压较低的肖特基二极管，如下图所示。
当没有SBD时，跟着基级电压的升高，电流沿着蓝线方向活动。因为SBD的作用，当基级电压大于0.4V时， SBD首要电导通，电流沿着红线方向活动（如下图所示），从而使T的基极电流不会过大（并且使T的集电结正向偏压将被胁迫在0.4V左右），因此SBD起到反抗过饱满的作用，因此又将这种电路称为抗饱满电路，使电路的开关时间大为缩短。
下图为肖特基TTL（STTL）与非门的典型电路。与根本TTL与非门电路比较，作了若干改善。在根本的TTL电路中 ，T1、T2和T3作业在深度饱满区，管内电荷存储效应对电路的开关速度影响很大。现在除T4外，其他的BJT均选用SBD钳位，以到达显着的抗饱满作用。其次，根本电路中的一切电阻值这儿简直都折半。这两项改善导致门电路的开关时间大为缩短。因为电阻值的减小也必定会引起门电路功耗的添加。
（1）二极管D被由T4和T5所组成的复合管所替代，当输出由低电平向高电平过渡时，因为复合管电路的电流增益很大，输出电阻很小
（2）电路输入端所加的SBD—DA和DB，用来减小由门电路之间的连线而引起的杂散信号。
（3）根本电路中的Re2（1kΩ）改为由T6与Rc6、Rb6的组合电路所替代。这个组合电路是有源非线性电阻。当其两头的电压（发射极e2对地）较低时，出现很大的电阻，而当其两头的电压到达0.7V左右时，则出现很小的电阻。这样，当与非门的悉数输入端由低电平转向高电平时，有源电阻开端不导通使T3很快到达饱满；反之，当电路的悉数输入端（或其间之一）由高电平转向低电平时，T2和T3将截止，因为T3饱满时，VBE=0.7V，在转化开端的瞬间，有源电阻的阻值很小
T3基区存储的电荷经过此低阻回路很快散失。因为这个原因，有源非线性电路称为有源下拉电路 ，它与有源上拉电路是对应的 。意行将 VBE3从0.7 V很快拉到０V，从而使输出电压十分快升高，即提高了开关速度。
根据上述特色,STTL与非门具有较为抱负的传输特性。与根本TTL反相器的传输特性比较，Ｃ点不再存在了，由Ｂ点直接下降到Ｄ点，即传输特性改变十分峻峭，见下图。
除典型的肖特基型（STTL）外，尚有低功耗肖特基型（LSTTL）、先进的肖特基型（ASTTL），先进的低功耗型（ALSTTL）等，它们的技术参数各有特色，是在TTL工艺的开展过程中逐步形成的。