图1显现了的正向通态特性。因为MOSFET是单极性器材，没有内建电势，所以在低电流区域，MOSFET的通态压降显着低于Si IGBT的通态压降；在挨近额定电流时，SiC MOSFET的通态压降简直与Si IGBT相同。关于经常以低于额定电流作业的运用，运用SiC MOSFET可下降通态损耗。
SiC MOSFET的通态压降一般表现出与Si MOSFET不同的温度依赖性。三菱电机的SiC MOSFET在约25℃邻近出现最小值，跟着温度上升或下降，通态压降也会添加。通态压降与漂移层电阻和沟道电阻有关，这两种电阻对温度别离具有正、负依赖性。归纳这些特性，SiC MOSFET的通态压降温度特性如图3所示。
MOSFET在内部结构上形成了一个从源极到漏极方向的PN结，称为体二极管（图4）；因而，假如施加一个比PN结势垒电位更高的电压，就能够使MOSFET从源极到漏极方导游通（图5）。但是，有些SiC MOSFET的电功用会因双极电流流过体二极管而劣化，虽然份额十分小。迄今为止，三菱电机积累了很多关于体二极管可靠性的数据。使用这一些数据，依据不同的模块和用处，采纳恰当的对策，供给可放心运用的高可靠性SiC MOSFET。
当向MOSFET的栅极施加正压时，电流能够终究靠MOS沟道从源极流向漏极（图6）。MOS沟道反导游通时的压降和电流成正比联系（图7），且源漏极压降小于反并联肖特基势垒二极管（SBD）或体二极管导通时的压降，因而在反导游通时，能够向栅极施加正偏压以使MOS沟道导通，由此削减损耗。
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FUJI(富士电机)的MOSFET, DIODE, PWM IC,PFC IC专业A级署理
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