器材功用有直接的影响。研讨清楚各类缺点的构成和成长机制很重要。本文带你了解
在SiC晶体中存在各种缺点，其间一些会影响器材的特性。SiC缺点的首要类型包含微管、晶界、多型夹杂物、碳夹杂物等大型缺点、以及堆垛层错（SF）、以及刃位错（TED）、螺旋位错（TSD）、基面位错（BPD）和这些复合体的混合位错。就密度而言，最近质量相对较好的SiC晶体中，微管是1〜10个/cm²，位错的密度约为10³～10⁴长达个/cm²。至今，与Si比较，SiC的缺点密度依然较大。
微管被以为是位移非常大的螺旋位错，中心存在空泛。此外，碳夹杂物是在块状晶体成长过程中嵌入的碳尘异物，是高密度位错的来历。这些对器材来说是丧命的缺点。
图1显现了通过熔融KOH对8°偏角（0001）4H-SiC衬底的标明上进行蚀刻，在晶体缺点部分构成凹坑的显微镜相片。位错线在垂直于外表的方向上延伸，反映了晶体的对称性，蚀刻后呈现六角形的凹坑。另一方面，基面位错在（0001）面（与外表平行的方向），位错线朝不同方向延伸，构成的凹坑呈椭圆形。在螺旋位错中存在多个晶体偏移巨细不同的位错。晶体偏移较大的螺旋位错和混合位错会在器材中发生漏电流。关于小型位错，大多数不会影响器材功用。
仔细观察基面位错的结构，不难发现它具有被两个部分位错（Shockley部分位错）围住的线性结构。关于基面位错，当双极性电流流过SiC器材时，被两个部分位错围住的区域会发生堆垛层错扩展，这是导致电阻增加等器材特性劣化的原因。
（3）被抓获的电子和空穴复兼并开释能量。开释的能量导致部分位错移动，移动的部分构成堆垛层错，堆垛层错区域进一步抓获电子和空穴，导致部分位错的持续移动（堆垛层错区域扩展）。构成堆垛层错的区域起到高电阻区域的效果。
在高浓度n型区域，因为电子和空穴的复合寿数较短，缓冲层或衬底的空穴密度较低。因而，堆垛层错的扩展发生在漂移层中。此外，堆垛层错具有晶体学上安稳的（不移动的）鸿沟。因而，扩展的堆垛层错区域多呈现出典型性的矩形或三角形。
通过恰当设置外延成长条件，可大起伏削减漂移层中的基面位错。现在的SiC外延能够终究靠采取了恰当的缓冲层，显着下降漂移层中基面位错的密度。
在对SiC进行离子注入时，会发生晶体缺点。图3、图4展现了对SiC进行高浓度Al离子注入后再退火的横截面TEM（透射电子显微镜）图画。从图3中能够精确的看出，注入Al的区域存在着高密度因变形而看起来黑色的缺点。即便通过高温退火，晶体仍未彻底康复。在图4中，扩大了缺点部分，展现了高分辨率TEM图画（晶格图画）。能够观察到每4层构成一个周期（周期为1纳米）的结构，标明这是4H-SiC。图中箭头所指方位插入了一层剩余的层，构成了Frank堆垛层错。关于这一部分，已知注入的元素Al等以层状办法集合，构成堆垛层错。
离子注入发生的缺点被以为会作为载流子的复合中心。例如，在SiC的PN二极管中，会削减存储电荷并下降反向康复电流。最近，也有测验将离子注入发生的缺点用作按捺SiC MOSFET体二极管特性劣化的办法。
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